能源知識庫

日本Sanyo公司發展具有非晶矽薄膜層的異質接面太陽能電池(Heterojunction with intrinsic thin film solar cell, HIT)，此太陽能電池結構採用能隙不同的非晶矽與單晶矽異質接面存在[2-3]，因此量子效應的光譜分佈廣，增加光利用率，因此能得到高效率，目前日本三洋電機Sanyo研發製作，2013年技術轉移松下電器Panasonic，2009年5月由AIST公開證明發表元件效率達23 %，過去矽異質接面太陽能電池不受重視的原因在於主要專利為日本Sanyo所擁有，而最重要的原始專利[US 5213628] (於矽基板上成長另一種電性的非晶矽薄膜，於1993/5/25 日發表)，使得研發廠商卻步，因此市場由日本Sanyo一家獨佔。至今其主要專利已於2008/5/25到期，未來異質結構矽太陽能電池將無專利限制問題。HIT太陽電池主要以電漿輔助化學氣相沉積系統(Plasma enhanced chemical vapor deposition；PECVD)沉積矽膜製造異質接面太陽電池。