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| 計畫名稱 | 太陽光電技術平台建置及新材料應用開發計畫(3/3) |
|---|---|
| 主題名稱 | 矽晶太陽電池之多晶矽鈍化層技術發展現況與趨勢分析 |
| 資料時間 | 2021/9/1 |
| 上傳時間 | 2021/9/8 |
| 國別 | 國內 |
| 能源領域 | 科技 |
| 能源業務 | 新及再生能源 |
| 決策知識類別 | 評析 |
| 關鍵字 | 矽晶太陽電池 鈍化接觸 |
重點摘述
2021年國ITRPV市調結果顯示背面具鈍化效果之太陽電池已成為矽晶太陽電池技術主流，市占率超過8成。並預期未來10年內，仍持續占據領導地位。鈍化接觸層包含具備化學鈍化的可穿隧超薄氧化層和具備場鈍化的高摻雜多晶矽層，現階段大部分廠商是以低壓化學氣相沉積法製作多晶矽層。但嚴重繞鍍問題不僅造成製造成本增加，在解決繞鍍過程亦會使良率降低，從而衍伸出多種低/無繞鍍方式製備高品質多晶矽鈍化層的方法，本文將著重介紹不同製作技術的發展現況與差異比較。
| 附件 | FY110第三季 能專知識物件-多晶矽鈍化接觸薄膜沉積技術發展現況與趨勢.pdf |
|---|---|
| 資料提供者/機構 | 陳松裕, 林郁斌 / 工研院綠能所 |
| 最後修改者 | |
| 聯絡電話 | 06-3636821, 06-3636809 |
| 聯絡 Email | sungyuchen@itri.org.tw, YuPinLin@itri.org.tw |
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