能源知識庫

重點摘述

為因應各國政府於 2050 年節能減碳相關重大政策目標，以積極減緩全球氣候變遷，無論在創能、儲能以及節能技術領域，寬能隙(wide-bandgap, WBG) 功率半導體於電能轉換器的應用，為提升電能轉換效率與能源使用效率的重點技術之一。

近年全球 WBG 半導體製程技術與應用市場快速穩定的發展， 以 WBG 半導體為材料的功率元件，如碳化矽(silicon carbide, SiC)與氮化鎵(gallium nitride, GaN)，比矽基元件具備更優異的性能表現。由於 WBG 功率開關元件於操作時的損耗更低，在高溫環境表現也較穩定，可建構更小、更快而且更可靠的功率開關元件，相較於矽基元件為主的電源設計，減少了散熱機制的需求與成本。因此，在整個產品製程中所產生的能耗，無論在材料、製程、成本、運輸等，預期可降低對環境所造成的負擔。